Отправлено SM 04 ноября 2004 г. 11:18 В ответ на: Если это то что я думаю, то это долго, нужен высокий вакуум.... Утюгом и принтером быстрее. :) отправлено Artem 04 ноября 2004 г. 11:12

газовая фаза вещества, обычно тетрахлорид кремния или трихлорсилан или дихлорсилан, ну и водород. Кстати если это ипанёт, то мало не покажется :))))

• Короче , принтеры печатающие микросхемы появятся очень нескоро. — =L.А.=   (04.11.2004 11:21, пустое)
  • Зато когда появятся их можно будет как бомбы использовать? — Artem   (04.11.2004 11:24, пустое)
    • Любой принтер можно как бомбу использовать (+) — SM   (04.11.2004 11:44, 36 байт)
      • Когда-то рассчитывал народ, по нормам предельно допустимой энергии в шарике пневматического пистолета.. В общем получилось что если можеш бросить бутылку с пивом на несколько метров, то руки придется отрубать: Слишком большую энергию можеш ссобщить бутылке. :) — Artem   (04.11.2004 11:49, пустое)
      • Но лучше старых годов выпуска - они больше и тяжелее и их не жалко выбросить. — =L.А.=   (04.11.2004 11:45, пустое)
• А для ионной обработки не нужен вакуум? В общем фигня, высокую температуре в дуге можно зашарабанить. — Artem   (04.11.2004 11:21, пустое)
  • Для ионно-молекулярной нужен, (+) — SM   (04.11.2004 11:24, 166 байт)
    • Ну тогда индукционным нагревом. — Artem   (04.11.2004 11:28, пустое)
      • А тогда получатся изначально сдохшие от наведенных токов транзисторы :) — SM   (04.11.2004 11:33, пустое)
        • Как-то не подумал. А какая хоть температура нада? Может можно греть, но экранировать сеточкой? — Artem   (04.11.2004 11:35, пустое)
          • Для GaAs около 600 градусов, для кремния - 850. Кажецца... — SM   (04.11.2004 11:42, пустое)
            • Так эт копейки.... — Artem   (04.11.2004 11:47, пустое)
  • Ионное легирование. Вакуум нужен. И еще ускоритель/концентратор пучка ионов нужен. — =L.А.=   (04.11.2004 11:23, пустое)
    • Какой энергии? — Artem   (04.11.2004 11:27, 14 байт, картинка)