А для ионной обработки не нужен вакуум? В общем фигня, высокую температуре в дуге можно зашарабанить.
(«Телесистемы»: Конференция 'Микроконтроллеры и их применение')
Отправлено
Artem
04 ноября 2004 г. 11:21
В ответ на:
Нужен хитровыделанный реактор, и очень высокая температура... А вот вакуум не нужен - нужна (+)
отправлено SM 04 ноября 2004 г. 11:18
Составить ответ
|||
Конференция
|||
Архив
Ответы
Для ионно-молекулярной нужен, (+)
—
SM
(04.11.2004 11:24, 166 байт)
Ну тогда индукционным нагревом.
—
Artem
(04.11.2004 11:28,
пустое
)
А тогда получатся изначально сдохшие от наведенных токов транзисторы :)
—
SM
(04.11.2004 11:33,
пустое
)
Как-то не подумал. А какая хоть температура нада? Может можно греть, но экранировать сеточкой?
—
Artem
(04.11.2004 11:35,
пустое
)
Для GaAs около 600 градусов, для кремния - 850. Кажецца...
—
SM
(04.11.2004 11:42,
пустое
)
Так эт копейки....
—
Artem
(04.11.2004 11:47,
пустое
)
Ионное легирование. Вакуум нужен. И еще ускоритель/концентратор пучка ионов нужен.
—
=L.А.=
(04.11.2004 11:23,
пустое
)
Какой энергии?
—
Artem
(04.11.2004 11:27, 14 байт,
картинка
)
Перейти к списку ответов
|||
Конференция
|||
Архив
|||
Главная страница
|||
Содержание
|||
Без кадра
E-mail:
info@telesys.ru