Отправлено SM 29 октября 2005 г. 02:09

trench - это по-нашему звучит довольно вульгарно - "канавка". То есть технология с изолирующими канавками. А именно между активными (диффузионными) областями травится канавка в кремнии, после чего туда осаждается методом CVD (Chemical Vapour Deposition, газофазное осаждение) оксид кремния, формируя STI - shallow trench isolator. Если вдаваться глыбже, перед осаждением оксида туда, на дно канавки, еще имплантируются акцепторные или донорные примеси, формируя n+ или p+ стенки этой канавки. (n+ со стороны n-карманов, p+ со стороны n-канальных полевиков (для них обычно карманов не делают, так как подложка p. Исключение это транзисторы энергонезависимой памяти, которым делают p-карман в n-кармане). Ну в общем от темы я отошел. Теперь красивые картинки.

trench1

trench2

trench3

trench4

trench5

trench6

• Ну вот, а после этого (+) — SM   (29.10.2005 02:25 213.141.159.26, 976 байт)
  • Коллега, спасибо, очень познавательно, но на какой пост Вы отвечали :)? — [cm]   (29.10.2005 03:27 83.170.248.33, пустое)
    • Сорри, тормознул. Сейчас почитал предыдущую страницу, ошеломлён, чувство вины испытываю. — [cm]   (29.10.2005 03:44 83.170.248.33, пустое)