Отправлено -=ВН=- 13 октября 2004 г. 13:17 В ответ на: да пожалуй не совсем правильно высказался но сути это не меняет, т.к все равно все плохо (+) отправлено prankish 13 октября 2004 г. 10:05

У оптронов, то есть у их производителей, иногда "хитрые" задержки переключения указываются - для ненасыщенного режима вых. транзистора.
Ну например такие условия: питание 5 вольт, нагруз. резистор 100 Ом, светодиодный ток 10 ма и это при CTR ну никак не 500 %. И выходной импульс при этом не 5-ти вольтового размаха, а вольтового с чем нибудь. И 90 % указываются на картинках не от размаха питания, а от размаха вых. импульса.
А в насыщенном режиме вых. транзистора задержки могут быть другими.
Да еще и от резистора между базой и эммитером вых. транзистора зависеть, если база наружу выведена, конечно. Меньше резистор - больше ток нужно в светодиод, чтобы открылся транзистор, но и закроется он побыстрей за счет резистора. Правда переусердствовать можно при уменьшении резистора:-). Это я не про 4n35, не знаю его, не ставил никуда. Но может и для него нечто похожее?

• как раз для него это и актуально. на базу оптимально получилось около 40к но всеравно в даташит это не влазит — prankish   (13.10.2004 14:20, пустое)
  • Да я не только про базу. — -=ВН=-   (13.10.2004 14:48, 760 байт)
    • да, пожалуй я не очень внимательно читал, вернее читал так как хотелось прочитать мне =) — prankish   (13.10.2004 17:27, пустое)