Так оно и от корпусов и от технологии (биполярные, моп...) и от материала зависит. Скажем у биполярных, где рулят п-н переходы, неосновные носители и т.п., с понижением температуры растет прямое падение на переходе, уменьшаются к-ты передачи эммитерного и базового токов, а в результате это приводит к, например, тому, что у ТТЛ микросжем с понижением температуры снижается нагрузочная способность, в разы и не при таких уж больших минусах, порядка -60. А для ТТЛ этот параметр существенен. С этой точки зрения КМОП явно в выигрыше, да и п-н переходы в МОП скорее от безысходности:-))