а подумать?
Ладно, берём документ по ссылке.

Стр.1 - N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor как раз и означает, что транзистор может управляться логическим уровнем (обычно для полевиков считается 4,5В для "полного открывания")

Стр.1 - RDS(ON) = 6.0Ω @ VGS = 4.5 V означает, что при напряжении З-И 4,5В сопротивление канала не более 6 Ом (иногда указывают типичное, а не максимальное)

Стр.2 - Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1 mA) 0,8..1,5В означает напряжение З-И при котором ток стока будет 1мА, т.е. это напряжение, когда транзистор начинает открываться.

Стр.3 - смотрим на графики (рис.1, 2, 4, 5) и думаем