Отправлено Bill 03 августа 2002 г. 00:09 В ответ на: Ответ: Вообще говоря можно, но не просто так... отправлено vlad_ 02 августа 2002 г. 21:12

то MOSFET имеют такое свойство, что при их нагревании проводимость каналов падает. То есть имеет место самостабилизация режима работы FET транзистора, в отличие от биполярных, у которых рост температуры приводит к росту тока через него.
Если несколько FET транзисторов включить параллельно, то вследствие разброса их характеристик токи через них будут протекать разные. Те транзисторы, через которые будут протекать б'ольшие токи будут нагреваться сильнее остальных, но это приведет к падению проводимости канала и уменьшению тока через них, что в свою очередь приведет к перераспределению тока через все транзисторы в группе. Таким образом режимы работы транзисторов и токи, протекающие через них,автоматически выравниваются.
Во всяком случае, насколько я знаю из литературы, параллельное соединение MOSFET транзистров создает гораздо меньше проблем, по сравнению с биполярными.

• Это верно на DC, Bill — Shura   (03.08.2002 08:51, 139 байт)
  • Сгорит не нагревшись?: — Vallav   (05.08.2002 21:19, 27 байт)
  • Ответ: Спасибо, понял. Вообще-то я видел схемы параллельного включения MOSFET именно в УНЧ. — Bill   (03.08.2002 21:11, пустое)
    • Это запросто. — Shura   (05.08.2002 10:04, 149 байт)