Разработка, производство и продажа радиоэлектронной аппаратуры
|
Карта сайта
|
Пишите нам
|
В избранное
Требуется программист в Зеленограде
- обработка данных с датчиков; ColdFire; 40 тыс.
e-mail:
jobsmp@pochta.ru
Телесистемы
|
Электроника
|
Конференция «Микроконтроллеры и их применение»
Вопрос к знатокам мощных тиристоров - как то связано значение резистора подключаемого параллельно катод - гейт с переносимостью тиристором импульсной подводимой энергии dV/dt и dI/dt? Есть где нибудь об этом почитать?
Отправлено
Make_Pic
03 мая 2008 г. 08:42
Составить ответ
|
Вернуться на конференцию
Ответы
Стандартный способ повышения помехоустойчивости - шунтирование управляющего электрода резистором 20..100 Ом (+)
—
dsp
(03.05.2008 12:17:40
78.106.152.212
, 213 байт)
А разве dV/dt и dI/dt это не выходные характеристики тиристора?
—
Vit
(03.05.2008 10:29:53
77.123.46.178
, 729 байт)
Посмотрел - есть и такое - Static dv/dt Turn-on
—
Vit
(03.05.2008 11:21:35
77.123.46.178
, 163 байт,
ссылка
)
и Static dv/dt Turn-on зависит от величины паразитных емкостей
—
=L.A.=
(03.05.2008 11:44:38
213.134.214.10
,
пустое
)
Дык там и нарисовано в соотвествующем раздельчике
—
Vit
(03.05.2008 11:50:30
77.123.46.178
,
пустое
)
Наверно тиристоры неидеальны. Помнится бывают токи утечки и максимальные обратные напряжения по управляющему
—
Vit
(03.05.2008 09:55:52
77.123.46.178
, 464 байт,
ссылка
)
Теоретически, чем меньше резистор, тем меньше вероятность что на затвор наведется что-то.
—
Artem-1.6E-19
(03.05.2008 09:54:39
92.113.36.237
, 155 байт)
Почти никак не связано. Резистор позволяет не париться насчёт утечки анод - УЭ
—
-=Shura=-
(03.05.2008 09:22:12
217.21.50.214
,
пустое
)
Отправка ответа
Имя*:
Пароль:
E-mail:
Тема*:
Сообщение:
Ссылка на URL:
URL изображения:
если вы незарегистрированный на форуме пользователь, то
для успешного добавления сообщения заполните поле, как указано ниже:
введите число 13:
Перейти к списку ответов
|
Конференция
|
Раздел "Электроника"
|
Главная страница
|
Карта сайта
Web
telesys.ru