Отправлено Точка опоры 14 мая 2002 г. 15:23 В ответ на: Ответ: Если б была разнича только в интерфейсе, то не было б 100-кратной разницы в количестве циклов перезаписи отправлено БезИмени 14 мая 2002 г. 15:14

Принцип - один, накопление заряда на границе Si3N4 и SiO2 в подзатворной области транзистора. Но разная технология производства. Благодаря этому Flash гораздо дешевле EEPROM ( по крайней мере с параллельным интерфейсом ), быстрее пишется ( ради чего и была придумана и названа Флэшью ) и менее "износостойкая".

• Flash это подвид EEPROM(+) — misyachniy   (14.05.2002 15:50, 890 байт)