1. Минимально возможная длительность строба RD 50 нан 2. После КАЖДОГО цикла чтения RXF становится высоким минимум на 80 нан. Даже если в буфере еще есть данные. 3. Между 2-мя циклами чтения обязательно должна существовать пауза, когда RD высокий. Величина этой паузы тоже в даташите указана и равна она 50 нан+время из пункта 2 (80 нан). Т.е. минимально возможный интервал межу 2 чтениями 130 нан. Минимальный период же будет равен минимальная длительност RD (50 нан) плюс вот эти самые 130 нан. Итого 180 нан. Там еще добавится время на синхронизацию того же сигнала RD с внутренним клоком микросхемы. Даташит у меня 2005 года, это я к тому, что может есть более новый и там времена чуть лучше, но смысл такой.