|
|
Тиристорами могли быть микросхемы 30 летней давности, изготовленные по технологии с изоляцией p-n переходом. В настоящее время такая технология не применяецца, и не для борьбы с тиристорным эффектом, а просто потому, что транзисторы по ней выполненные получаюцца во-первых "большими", а во-вторых (что еще более важно) с большими токами утечки. Попробуй представить себе современный проц, состоящий из 5 000 000 транзисторов, но транзисторы размером 5*5 мкм и каждый с утечкой по 0,1 мкА.
Насколько я знаю современная 0,13 мкм технология использует транзистры в изолирующем ( SiO2 ) кармане. Для уменьшения утечек и ,соотв., общего потребляемого тока. При такой конструкции получить тиристорный эфект также трудоёмко, как ,например, склеив 2 дискретных транзистора пластмассовыми корпусами.
|
|
E-mail: 
info@telesys.ru
