Отправлено SM 29 октября 2005 г. 02:07

trench - это по-нашему звучит довольно вульгарно - "канавка". То есть технология с изолирующими канавками. А именно между активными (диффузионными) областями травится канавка в кремнии, после чего туда осаждается методом CVD (Chemical Vapour Deposition, газофазное осаждение) оксид кремния, формируя STI - shallow trench isolator. Если вдаваться глыбже, перед осаждением оксида туда, на дно канавки, еще имплантируются акцепторные или донорные примеси, формируя n+ или p+ стенки этой канавки. (n+ со стороны n-карманов, p+ со стороны n-канальных полевиков (для них обычно карманов не делают, так как подложка p. Исключение это транзисторы энергонезависимой памяти, которым делают p-карман в n-кармане). Ну в общем от темы я отошел. Теперь красивые картинки.

[img src=http://venus.ru/sm/trench1.gif]trench1[/img][br]
[img src=http://venus.ru/sm/trench2.gif]trench2[/img][br]
[img src=http://venus.ru/sm/trench3.gif]trench3[/img][br]
[img src=http://venus.ru/sm/trench4.gif]trench4[/img][br]
[img src=http://venus.ru/sm/trench5.gif]trench5[/img][br]
[img src=http://venus.ru/sm/trench6.gif]trench6[/img][br]

• Ответ: Ну и что? — Artem   (29.10.2005 08:05 222.101.205.221, пустое)