[an error occurred while processing this directive]
[an error occurred while processing this directive]
|
2. 16MBit-Flash и 128KBit-SRAM
Подпорки памяти
В компании STMicroelectronics появились четыре версии рассчитанной на 56 MHz Flash-памяти 16 Mbit в Zero-Wait-State/Burst-Mode-технологии с архитектурой 32-разрядной шины данных. Серию M58BW016xx производитель считает предназначенной для схем управления моторами, оборудования телеинфоматики и навигационных систем, а также прочих систем реального времени. Flash-памяти имеют напряжения питания ядер и вводов-выводов от 3,6 V до 2,7V или 2,4 V, а также Fast-Programming-вариант с 12 V. Четыре чипа M58BW016BT, M58BW016BB, M58BW016DT и M58BW016DB имеют Boot-Block-архитектуру из восьми параметрических блоков по 64 KBit и 31 основных блоков по 512 KBit. Кроме собственных микроконтроллеров ST40 серия M58BW016xx способна также работать с семействами микроконтроллеров Hitachi SHxxxx, Motorola (OAK) MPC56x и MPC55x, а также Infineon TriCore TC1775. Представлена также память SRAM 128 Mbit, спроектированная специально для приложений автоматизации. 616Z08 имеет архитектурой 16-разрядной шины данных и базируется на ячейках памяти, каждая по 6 транзисторов. Элемент рассчитан на рабочее напряжение от 3,6 V вплоть до 2,34 V.
E-mail: info@telesys.ru